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J-GLOBAL ID：200903073044928623

大電力半導体デバイス

Inventor： 梶原 良一 ,  小泉 正博 ,  高橋 敏幸 ,  高橋 和弥
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 平木 祐輔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995217804
Publication number (International publication number)：1997064258
Application date： Aug. 25, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】 チップ/リード端子間とリード自身の電気抵抗を下げ、かつパワーサイクル負荷が加わる実使用環境下において長期に渡る信頼性を保証できる接合構造を提供する。【解決手段】 接続導体13,26をCu又はAl金属リードとし、リード中腹に変位吸収構造17を設け、金属リード端部に低熱膨張材14,15を接合するか、電極パッド/リード間に多層構造の応力緩衝部材を挿入し、電極パッド表面の熱膨張率と電極パッド上に位置する金属リードの接合表面の熱膨張率との差を5×10-6/°C以下として、接合界面において発生する熱応力が疲労限界より小さくなるようにする。

Claim (excerpt)：

シリコンチップ上の電極パッドに金属リードを接続した大電力半導体デバイスにおいて、シリコンチップで変形が拘束された前記電極パッド表面の熱膨張率と該電極パッド上に位置する金属リードの接合表面の熱膨張率との差が5×10-6/°C以下であることを特徴とする大電力半導体デバイス。

IPC (2)：

H01L 23/48 ,  H01L 29/78

FI (2)：

H01L 23/48 G ,  H01L 29/78 652 Q