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J-GLOBAL ID:200903073045767615

微細加工方法および加速度計とその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993221884
Publication number (International publication number):1995078800
Application date: Sep. 07, 1993
Publication date: Mar. 20, 1995
Summary:
【要約】【目的】 微細加工方法および加速度計とその製造方法に関し、マスクとしてSiC膜を用いてSi基板をエッチングする場合にSi基板の結晶方位によるエッチングの異方性が低下しない手段を提供する。【構成】 Si基板1の上にSiC膜4を堆積し、このSiC膜4をマスクにして、このSi基板1を選択的にエッチングする微細加工方法において、このSi基板1中に、少なくとも、Si基板1の上にSiC膜4を堆積するときにSiC膜4を構成する炭素がSi基板中に拡散する深さまでボロン拡散層3を形成し、その後、Si基板1の上にSiC膜4を堆積する。この微細加工方法を用いて、固定部11 から、SiC膜4、SiC膜4とSi基板のボロン拡散層3、Ta膜とSiC膜とSi基板のボロン拡散層からなる梁によって錘部12 を懸架する構造の加速度計を精度よく、容易に製造することができる。
Claim (excerpt):
Si基板の上にSiC膜を堆積し、該SiC膜をマスクにして該Si基板を選択的にエッチングする微細加工方法において、該Si基板中に、少なくとも該Si基板の上に該SiC膜を堆積するときに該SiC膜を構成する炭素が該Si基板中に拡散する深さまでp型不純物拡散層を形成する工程を含むことを特徴とする微細加工方法。
IPC (4):
H01L 21/306 ,  G01P 15/00 ,  G01P 15/125 ,  H01L 29/84

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