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J-GLOBAL ID：200903073078345279

高透磁率、低鉄損の極薄アモルファス合金

Inventor： 八木 正昭 ,  沢 孝雄 ,  猪俣 浩一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996053373
Publication number (International publication number)：1996229642
Application date： Mar. 03, 1987
Publication date： Sep. 10, 1996
Summary：

【要約】【課題】 ピンホール等のない良好な状態で、板厚が10μm 以下の極薄アモルファス合金が求められている。【解決手段】 一般式:[(Co1-x Fex )1-y My ] 100-z Yz (式中、 MはCr、Mo、 W、 Cr+Mo、Cr+W、 Cr+Mo+Wから選ばれる 1種を、 YはSi、 B、 P、 Cから選ばれる 1種以上を示し、 x、 yおよび zは0.02≦ x≦0.1 、 0.005≦ y≦0.1、18≦z ≦30である)で表される合金であり、板厚が10μm 以下である、高透磁率、低鉄損の極薄アモルファス合金である。

Claim (excerpt)：

一般式:[(Co1-x Fex )1-y My ] 100-z Yz(式中、 MはCr、Mo、 W、 Cr+Mo、Cr+W、 Cr+Mo+Wから選ばれる 1種を、 YはSi、 B、 P、 Cから選ばれる 1種以上を示し、 x、 yおよび zは0.02≦ x≦0.1 、0.005≦ y≦0.1 、18≦z ≦30である)で表される合金であり、板厚が10μm 以下であることを特徴とする高透磁率、低鉄損の極薄アモルファス合金。

IPC (2)：

B22D 11/06 360 ,  C22C 45/04

FI (2)：

B22D 11/06 360 B ,  C22C 45/04 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭62-027537
  
• 特開昭62-029105
  
• 特開昭61-261451
  
• 特開昭61-292301
  
• 特開昭62-264685