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J-GLOBAL ID：200903073093836980
はんだ付け方法、半導体装置の製造方法及び複合はんだ板
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山田 稔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991113558
Publication number (International publication number)：1995169908
Application date： May. 18, 1991
Publication date： Jul. 04, 1995
Summary：
【要約】【目的】はんだ板の融点より低い温度ではんだ付けすることにより、接合部に応力及びボイドが残留せず、しかも耐熱性が高い接合構造を実現すること。【構成】複合はんだ板11は、厚さが約100μmの中央層たるはんだ板本体11aと、厚さが約1μmの両側層たる低融点はんだ層11bとから構成された3層構造になっている。ここで、はんだ板本体11aの融点は約318°Cであり、低融点はんだ層11bの融点は約298°Cである。この構成の複合はんだ板11は、低融点はんだ層11bの融点からはんだ板本体11aの融点までの範囲の温度、約300°Cのはんだ付け温度で使用される。
Claim (excerpt)：
被接合材及びはんだ材のうちの少なくとも一方の接合面側に、前記はんだ材の融点に比して低い融点の低融点はんだ層を形成しておき、前記低融点はんだ層の融点から前記はんだ材の融点までの範囲内の温度で、前記被接合材及び前記はんだ材の接合面同士を接合することを特徴とするはんだ付け方法。
IPC (5)：
H01L 25/07
, B23K 1/00 310
, B23K 1/00 330
, B23K 35/14
, B23K101:40
