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J-GLOBAL ID：200903073108877980

半導体基板の洗浄方法

Inventor： 沖 一郎
Applicant, Patent owner： シヤープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991169544
Publication number (International publication number)：1993021595
Application date： Jul. 10, 1991
Publication date： Jan. 29, 1993
Summary：

【要約】【構成】 素子分離工程におけるシリコン酸化膜、シリコン窒化膜等のプラズマエッチング後に、硝酸(HNO3)+フッ酸(HF)系の洗浄に引続き、塩酸(HCl)又は塩酸(HCl)+過酸化水素水(H2O2)系の洗浄を続けて行う。【効果】 本発明の半導体基板の洗浄方法により、素子分離領域間、素子分離領域周辺のリーク電流を低減できる。

Claim (excerpt)：

半導体素子の素子分離工程に於いて、半導体基板のプラズマエッチング処理後に、硝酸(HNO3)+フッ酸(HF)系の洗浄、および塩酸(HCl)又は塩酸(HCl)+過酸化水素水(H2O2)系の洗浄を連続して行うことを特徴とする、半導体基板の洗浄方法。

IPC (4)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/316