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J-GLOBAL ID:200903073110337690

非導電性材料表面に電気めっき層を直接形成する方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 三枝 英二 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993121311
Publication number (International publication number):1994330378
Application date: May. 24, 1993
Publication date: Nov. 29, 1994
Summary:
【要約】 (修正有)【目的】 無電解銅めっき工程を必要とすることなく、電気銅めっき工程のみによって絶縁性部分の導通化を可能とし、処理工程の簡略化、処理時間の短縮、作業環境の改善などにより、生産性の向上を図る。【構成】 (1)非導電性材料をシランカップリング剤を含有する溶液で処理する工程、(2)上記(1)工程からの非導電性材料をアニオン性界面活性剤を含有する溶液で処理する工程、(3)上記(2)工程からの非導電性材料を、チオ尿素及びその誘導体からなる含窒素硫黄化合物の少なくとも一種とパラジウム化合物とを含有する溶液で処理する工程、(4)上記(3)工程からの非導電性材料を水素化ホウ素ナトリウム、次亜リン酸ナトリウム、ヒドラジン、ジメチルアミンボラン、ヒドロキシルアミン及びグリオキシル酸の少なくとも1種を含有する還元性溶液により還元処理する工程、(5)上記(4)工程からの非導電性材料に電気めっき層を直接形成する工程。
Claim (excerpt):
非導電性材料を下記の工程で処理することを特徴とする非導電性材料のめっき方法:(1)非導電性材料をシランカップリング剤を含有する溶液で処理する工程、(2)上記(1)工程からの非導電性材料をアニオン性界面活性剤を含有する溶液で処理する工程、(3)上記(2)工程からの非導電性材料を、チオ尿素及びその誘導体からなる含窒素硫黄化合物の少なくとも一種とパラジウム化合物とを含有する溶液で処理する工程、(4)上記(3)工程からの非導電性材料を水素化ホウ素ナトリウム、次亜リン酸ナトリウム、ヒドラジン、ジメチルアミンボラン、ヒドロキシルアミン及びグリオキシル酸の少なくとも1種を含有する還元性溶液により還元処理する工程、(5)上記(4)工程からの非導電性材料に電気めっき層を直接形成する工程。
IPC (3):
C25D 5/54 ,  H05K 3/18 ,  H05K 3/42
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (6)
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