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J-GLOBAL ID：200903073133376197

半導体超微粒子の製造方法

Inventor：
加和 学

About 加和 学


Applicant, Patent owner：
三菱化学株式会社

About 三菱化学株式会社


Agent (1)： 長谷川 曉司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000117802
Publication number (International publication number)：2001302399
Application date： Apr. 19, 2000
Publication date： Oct. 31, 2001
Summary：
【要約】【課題】 外界の光による着色や沈殿生成等の好ましくない副反応が抑制され、色調、溶解性、粒径制御性が優れた半導体超微粒子の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体原料を液相において結晶成長させて半導体超微粒子を製造するにあたり、半導体結晶を成長させる過程を遮光条件下で行う半導体超微粒子の製造方法。
Claim (excerpt)：
半導体原料を液相中において結晶成長させて半導体超微粒子を製造するにあたり、半導体結晶を成長させる過程を遮光条件下で行うことを特徴とする半導体超微粒子の製造方法。
IPC (2)：
C30B 29/60 ,  H01L 21/208
FI (2)：
C30B 29/60 ,  H01L 21/208 Z
F-Term (22)：
4G077AA01 ,  4G077BE33 ,  4G077BE34 ,  4G077CB01 ,  5F053BB01 ,  5F053BB32 ,  5F053BB60 ,  5F053DD01 ,  5F053DD02 ,  5F053DD03 ,  5F053DD07 ,  5F053DD11 ,  5F053DD13 ,  5F053DD14 ,  5F053DD15 ,  5F053DD16 ,  5F053DD17 ,  5F053DD18 ,  5F053DD20 ,  5F053GG02 ,  5F053GG10 ,  5F053LL01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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