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J-GLOBAL ID：200903073137670561

酸化物のプラズマエッチング方法

Inventor： チャン ロン ヤング ,  ジェフリー マークス ,  ニコラス ブライト ,  ケニス エス コリンズ ,  ディヴィッド グローシェル ,  ピーター ケズウィック
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 中村 稔 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994245137
Publication number (International publication number)：1995161702
Application date： Oct. 11, 1994
Publication date： Jun. 23, 1995
Summary：

【要約】【目的】IC構造上のステップの側壁に形成された窒化物を含む窒化物に対して高い選択性を有する酸化物のプラズマエッチング方法を得ること。【構成】窒化物の存在下で酸化物をエッチングするためのプラズマエッチング方法において、一以上のフッ素で置換された炭化水素のエッチングガスとフッ素用のスカベンジャに一以上の水素含有ガスの追加、好ましくは一以上のフルオロ炭化水素ガスを追加すると、基板表面の窒化物部分の形状に無関係に窒化物に対して高い選択性を生じる。好適な実施例においては、一以上の酸素担持ガスがチャンバ表面及びエッチングされる表面上のポリマ堆積速度を減少するために追加される。好ましくは、フッ素スカベンジャはプラズマに関連した電気的に接地された電極である。

Claim (excerpt)：

平坦でない表面上に窒化物を含み,窒化物に対し高い選択性を示す窒化物の存在下において酸化物をプラズマエッチングする方法であって、フッ素スカベンジャの存在下において、a)一以上のフッ素で置換された炭化水素のエッチングガス、及びb)一以上の水素担持ガス、を有する混合ガスに前記酸化物を接触する酸化物をプラズマエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/318