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J-GLOBAL ID:200903073139246783

電界放出形カソード

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 西村 教光
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992077278
Publication number (International publication number):1994044927
Application date: Mar. 31, 1992
Publication date: Feb. 18, 1994
Summary:
【要約】【目的】 表示密度が高く、FECと共に作り込む回路の特性が良好で、スタティック駆動することができる電界放出形カソードを提供する。【構成】 Si単結晶基板1上には、各複数本の制御線3とデータ線5がマトリクスを構成しており、複数の要素領域6が形成されている。各要素領域6内において、Si単結晶基板1上には回路要素7が形成され、その上には電界放出部8が積層して形成されている。回路要素7は、データ線5にドレインが接続され、制御線3にゲートが接続されたスイッチング素子であるトランジスタTr1 と、入力信号の記憶回路であるキャパシタCs と、電界放出部8に入力信号を増幅して与えるトランジスタTr2 とを有している。Si単結晶基板1上に作り込む回路要素7の特性は良好であり、電界放出部8はその上に積層するので密度が高くなる。また、回路要素7はキャパシタCs を有しているのでスタティック駆動ができる。
Claim (excerpt):
Si単結晶基板と、互いに交差する二方向について前記Si単結晶基板上に積層して配設された複数本づつのマトリクス配線と、前記マトリクス配線によって区画された前記Si単結晶基板上の複数の要素領域内にそれぞれ形成され、スイッチング素子と記憶回路を有するとともに入力側が前記マトリクス配線に接続された回路要素と、前記各要素領域内にそれぞれ形成され、前記各回路要素の出力側に接続された電界放出部とを有する電界放出形カソード。
IPC (3):
H01J 31/15 ,  H01J 1/30 ,  H01L 29/784
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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