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J-GLOBAL ID：200903073149130635

成膜時の基板加熱方法および成膜装置の基板加熱機構

Inventor： 西川 優人
Applicant, Patent owner： 関西日本電気株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992305746
Publication number (International publication number)：1994163413
Application date： Nov. 17, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 MBE等成膜時の基板の加熱を均一化する。【構成】 基板1を複数保持するサセプター3に基板を個別に加熱するヒーター付プレート2を設けそのヒーター付プレート2に基板1を接して加熱する。【効果】 ヒータ付プレート2に基板2を接するので基板内の温度が均一となる。

Claim (excerpt)：

基板を複数枚保持できるサセプターに基板を個別に加熱するヒーター付プレートを個別に配置し、そのヒーター付プレートに基板を接触配置する成膜時の基板加熱方法。

IPC (3)：

H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68