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J-GLOBAL ID：200903073151942574

太陽電池用シリコン基板の粗面化方法

Inventor： 今田 勝大 ,  松野 吉徳 ,  濱本 哲 ,  川間 吉竜
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999063060
Publication number (International publication number)：2000261008
Application date： Mar. 10, 1999
Publication date： Sep. 22, 2000
Summary：

【要約】【課題】 太陽電池の光電変換特性を向上させる、製造が容易でかつ安価な太陽電池用シリコン基板の粗面化方法及びその方法により製造される多結晶シリコン基板を提供する。【解決手段】 多結晶シリコン基板の表面にマスク用微粒子を全面に分散して付着させる工程と、上記基板表面のマスク用微粒子が付着していない領域をエッチングする工程と、残留するマスク用微粒子を上記基板表面から除去する工程とにより太陽電池用シリコン基板を粗面化する。

Claim (excerpt)：

多結晶シリコン基板の表面に微細な凹凸を賦与する太陽電池用シリコン基板の粗面化方法であって、多結晶シリコン基板の表面にマスク用微粒子を全面に分散して付着させる工程と、上記基板表面のマスク用微粒子が付着していない領域をエッチングする工程と、残留するマスク用微粒子を上記基板表面から除去する工程とを含む太陽電池用シリコン基板の粗面化方法。

F-Term (5)：

5F051AA03 ,  5F051CB21 ,  5F051CB22 ,  5F051GA04 ,  5F051GA14