Pat

J-GLOBAL ID：200903073164313002

光照射装置、結晶化装置、結晶化方法、デバイス、および光学変調素子

Inventor： 谷口 幸夫 ,  松村 正清
Applicant, Patent owner： 株式会社 液晶先端技術開発センター
Agent (1)： 山口 孝雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004017946
Publication number (International publication number)：2005216893
Application date： Jan. 27, 2004
Publication date： Aug. 11, 2005
Summary：

【課題】 逆ピークの両側に発生するピーク形状を抑えた所望の逆ピーク状の光強度分布を所定面に形成することのできる結晶化装置。【解決手段】 段差により逆ピーク状の光強度分布を形成する光学変調素子(1)と、光学変調素子を介した光束に基づいて逆ピーク状の光強度分布に対応する所定の光強度分布を所定面(4)に形成するための結像光学系(3)とを備えている。光学変調素子は、逆ピーク状の光強度分布において逆ピークの両側に発生するピーク形状を抑えるために、段差の近傍に設けられた光遮蔽領域または位相変調領域を有する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

入射光から位相段差により逆ピーク状の光強度分布を形成する光学変調素子と、 前記光学変調素子を介した光束に基づいて前記逆ピーク状の光強度分布に対応する所定の光強度分布を所定面に形成するための結像光学系とを備え、 前記光学変調素子は、前記逆ピーク状の光強度分布において逆ピークの両側に発生するピーク形状を平坦化するために設けられた光遮蔽領域及び位相変調領域のうち少なくとも一方の領域を有することを特徴とする光照射装置。

IPC (4)：

H01L21/268 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

FI (3)：

H01L21/268 J ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 627G

F-Term (47)：

5F052AA02 ,  5F052BA06 ,  5F052BA12 ,  5F052BB02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA04 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DB01 ,  5F052DB07 ,  5F052EA01 ,  5F052EA12 ,  5F052JA01 ,  5F110AA26 ,  5F110BB02 ,  5F110BB03 ,  5F110BB06 ,  5F110BB07 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110FF02 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP06 ,  5F110PP07 ,  5F110PP11 ,  5F110PP23 ,  5F110QQ11