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J-GLOBAL ID：200903073186510847

ショットキーバリア半導体装置

Inventor： 岩崎 貴之 ,  大野 俊之 ,  八尾 勉 ,  菅原 良孝 ,  浅野 勝則
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  関西電力株式会社
Agent (1)： 武 顕次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998046900
Publication number (International publication number)：1999251605
Application date： Feb. 27, 1998
Publication date： Sep. 17, 1999
Summary：

【要約】【課題】 半導体基板の一面に半導体突出部8により形成した複数の凹部7の形状を、半導体突出部8を横断する空乏層ができ易い構成にし、逆方向電圧の印加時の漏れ電流を大幅に低減するショットキーバリア半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体基板の一方表面に第1電極3を形成し、他方表面に半導体基板とショットキー接合される第2電極6を形成したショットキーバリア半導体装置であり、半導体基板の一方表面に複数の半導体突出部8を堆積して、開口部分の面積に比べて少なくとも内側部分の一部の面積が大きい構成の複数の凹部7を形成し、第2電極6は複数の凹部7の内側部分及び開口部分を覆うように形成した高いショットキーバリアハイトの金属の第1金属層4と第1金属層4上及び露出した複数の半導体突出部8上を覆うように形成した低いショットキーバリアハイトの金属の第2金属層5とにより構成される。

Claim (excerpt)：

半導体基板の一方の表面に第1電極を形成し、他方の表面に前記半導体基板とショットキー接合される第2電極を形成したショットキーバリア半導体装置において、前記半導体をシリコンカーバイトで構成し、前記半導体基板の一方の表面に複数の半導体突出部を堆積することにより、開口部分の面積に比べて少なくとも内側部分の一部の面積が大きくなるように構成した複数の凹部を形成し、前記第2電極は、前記複数の凹部の内側部分及び開口部分を覆うように形成した高いショットキーバリアハイトの金属からなる第1金属層と前記第1金属層上及び露出した前記複数の半導体突出部上を覆うように形成した低いショットキーバリアハイトの金属からなる第2金属層とによって構成されていることを特徴とするショットキーバリア半導体装置。