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J-GLOBAL ID：200903073195660169
半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
吉田 研二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993090221
Publication number (International publication number)：1994302819
Application date： Apr. 16, 1993
Publication date： Oct. 28, 1994
Summary：
【要約】【目的】 縦型超薄膜トランジスタにおいて、短チャネル効果の影響を排除し、良好なトランジスタのスイッチング特性が得られる半導体装置を提供する。【構成】 基板10の上部には突出部20が形成されており、この突出部20には、ドレイン領域22、チャネル領域26及びソース領域24が形成されている。また、基板10および突出部20の表面はすべてSiO2 で形成される酸化膜30によって覆われており、チャネル領域26の表面にはゲート電極32が形成されている。そして、チャネル領域26の上端部のみゲート電極32が除かれ,ゲート酸化膜30が設けられているのみである。このため、ゲート電極はその両側で独立したゲート電極として作動する。従って、不純物濃度を変えることなく一方のゲート電極の閾値電圧を調整することが容易となり、設計自由度が大幅に広がる。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に素子領域を突出形成し、ここにソース領域と、ドレイン領域と、該ソース領域及びドレイン領域間にチャネル領域と、を設け、そのチャネル領域に絶縁体膜を介して電界を印加するゲート電極を設けた電界効果トランジスタを有する半導体装置であって、前記チャネル領域は、その上端部を除いてゲート電極で覆われ、前記素子領域の両側で独立したゲート電極となることを特徴とする半導体装置。
FI (2)：
H01L 29/78 301 H
, H01L 29/78 301 V
Cited by examiner (6)
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