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J-GLOBAL ID：200903073221921545
薄膜積層体検査方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996190356
Publication number (International publication number)：1998038821
Application date： Jul. 19, 1996
Publication date： Feb. 13, 1998
Summary：
【要約】【課題】X線反射率法による薄膜積層体の検査方法において、隣り合った膜の密度差が非常に小さい場合でも高い精度で検査可能なX線反射率法による薄膜積層体検査方法を提供すること。【解決手段】積層体中、最も密度差の小さい隣り合った膜の主構成元素の吸収端波長をλ0とした時、(|λ-λ0|/λ0)x100≦1%を満たす波長λを用いたX線反射率法による薄膜積層体検査方法。また、該波長λに該元素のKβ線を用いること、及び積層体中隣り合った3層の膜の中間層の主構成元素のKβ線を用いたX線反射率法による薄膜積層体検査方法。【効果】従来、検査が不可能かあるいは検査精度が非常に悪い場合にも、本発明により高い精度で検査可能になると共に検査対象範囲の拡大につながる。また、通常の管球型X線源が適用できるため、薄膜積層体プロセス現場での検査が迅速に行えるという効果がある。
Claim (excerpt)：
基板上に形成した積層体にX線を低角度で入射し、積層体からのX線反射率を測定することによる薄膜積層体検査方法において、積層体中密度差10%以下の隣り合った膜(基板を含む)の主構成元素A,Bの吸収端波長をλ(A),λ(B)としたとき、(|λ-λ(A)|/λ(A))x100≦1%あるいは(|λ-λ(B)|/λ(B))x100≦1%を満たす波長λを入射X線として使用することを特徴とする薄膜積層体検査方法。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
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面内分布測定方法及び装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-043946
Applicant：株式会社日立製作所
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X線反射プロファイル測定方法及び装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平4-123611
Applicant：株式会社日立製作所
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特開昭6-273357
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