無電解メッキ処理方法およびその装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000269893
Publication number (International publication number)：2001355074
Application date： Sep. 01, 2000
Publication date： Dec. 25, 2001
Summary：

【要約】【課題】無電解メッキ処理によりバリア層を安定かつ均一に形成でき、処理薬液の使用量を低減可能な無電解メッキ処理方法およびその装置を提供する。【解決手段】被メッキ面に無電解メッキ処理を施してバリア層を形成する無電解メッキ処理方法であって、無電解メッキの前処理工程および無電解メッキ処理工程のうちの少なくとも一工程において、回転駆動可能な基台41上に被メッキ対象物40を固定し、被メッキ対象物40の被メッキ面上にノズル42などから用いる処理薬液43を供給し、処理薬液の液盛り処理を行ってメッキ膜43aを形成し、処理後は基台41を回転して処理薬液を振り切って除去する。あるいは、無電解メッキ処理薬液として、メッキ膜の主成分を供給する第1金属材料1モルに対してそれぞれ3モル以上の錯化剤と還元剤を含有し、pH9以上に調整された処理薬液を不活性ガスあるいはアンモニアガス雰囲気下に収容して用いる。

Claim (excerpt)：

被メッキ面に無電解メッキ処理を施してバリア層を形成する無電解メッキ処理方法であって、無電解メッキの前処理工程および無電解メッキ処理工程のうちの少なくとも一工程において、用いる処理薬液を前記被メッキ面上に供給し、処理薬液の液盛り処理を行う無電解メッキ処理方法。

IPC (5)：

C23C 18/16 , C23C 18/31 , H01L 21/28 , H01L 21/288 , H01L 21/3205

FI (8)：

C23C 18/16 B , C23C 18/31 F , H01L 21/28 A , H01L 21/288 Z , H01L 21/288 M , H01L 21/88 M , H01L 21/88 R , H01L 21/88 K

F-Term (76)：

4K022AA05 , 4K022BA06 , 4K022BA12 , 4K022BA14 , 4K022BA24 , 4K022BA31 , 4K022BA32 , 4K022BA35 , 4K022CA03 , 4K022CA06 , 4K022CA07 , 4K022CA14 , 4K022CA15 , 4K022CA22 , 4K022DA01 , 4K022DB15 , 4K022DB18 , 4K022DB19 , 4K022DB24 , 4K022DB25 , 4K022DB26 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB36 , 4M104DD08 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD22 , 4M104DD53 , 4M104FF18 , 4M104GG09 , 4M104HH01 , 4M104HH05 , 4M104HH13 , 4M104HH16 , 5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH15 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH31 , 5F033JJ01 , 5F033JJ07 , 5F033JJ11 , 5F033JJ15 , 5F033JJ19 , 5F033JJ20 , 5F033JJ31 , 5F033KK04 , 5F033KK11 , 5F033KK19 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP28 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ13 , 5F033QQ25 , 5F033QQ31 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ53 , 5F033QQ54 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033SS11 , 5F033XX02 , 5F033XX03 , 5F033XX05 , 5F033XX10 , 5F033XX28 , 5F033XX34

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