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J-GLOBAL ID：200903073234378450

半導体素子のアルミニウム酸化膜形成方法

Inventor： 林 燦
Applicant, Patent owner： 株式会社ハイニックスセミコンダクター
Agent (1)： 中川 周吉 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001095986
Publication number (International publication number)：2002026006
Application date： Mar. 29, 2001
Publication date： Jan. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】 H2Oベーパーの代わりに酸素を含むアルコール類物質を反応ガスとして、TMA及びMTMA(Modified TriMethyl Aluminum)のいずれか一種を用いたアルミニウムソースと活性化ガスNH3を互いに異なるラインで同時に供給してアルミニウム酸化膜を蒸着することにより、均一で且つカバレージ特性の良い、不純物の少ないアルミニウム酸化膜を形成することができる半導体素子のアルミニウム酸化膜形成方法を提供すること。【解決手段】 本発明に係る半導体素子のアルミニウム酸化膜形成方法は、アルミニウムソース及び活性化ガスを、個別ラインを介して、ウェーハを装着した反応炉へ同時に供給する第1段階と、未反応アルミニウムソースを前記反応炉で除去する第2段階と、酸素を含むアルコール類の反応ガス及び活性化ガスを、同一ラインを介して前記反応炉へ同時に供給する第3段階と、未反応アルコール類を前記反応炉で除去する第4段階と、前記第1乃至第4段階をアルミニウム酸化膜蒸着工程の1サイクルとして数回繰り返し行う段階とからなることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

アルミニウムソース及び活性化ガスを、個別ラインを介して、ウェーハを装着した反応炉へ同時に供給する第1段階と、未反応アルミニウムソースを前記反応炉で除去する第2段階と、酸素を含むアルコール類の反応ガス及び活性化ガスを、同一ラインを介して前記反応炉へ同時に供給する第3段階と、未反応アルコール類を前記反応炉で除去する第4段階と、前記第1乃至第4段階をアルミニウム酸化膜蒸着工程の1サイクルとして数回繰り返し行う段階とからなることを特徴とする半導体素子のアルミニウム酸化膜形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/40

FI (2)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/40

F-Term (19)：

4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA43 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030JA05 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11 ,  5F058BA09 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BF02 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF31 ,  5F058BF37 ,  5F058BG02 ,  5F058BJ01