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J-GLOBAL ID：200903073252814968
半導体ディスク装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996221356
Publication number (International publication number)：1998063442
Application date： Aug. 22, 1996
Publication date： Mar. 06, 1998
Summary：
【要約】【課題】ポーリング結果待ちや動作指示待ちなどによるフラッシュメモリに対するアクセスの遅れをなくし、半導体ディスク装置の性能向上を図る。【解決手段】NANDインターフェース19にはフラッシュEEPROM11-1〜11-16それぞれからのレディー/ビジー信号が独立に入力され、個々のフラッシュEEPROMのレディー状態の確認はNANDインターフェース19自体によって行われる。NANDインターフェース19は、各々が一連の制御動作を含む複数の動作パターンについてそれに対応する動作シーケンスを実行できるように構成されており、MPU14などによってレジスタ群20にセットされた動作指示情報に従って、動作する。従って、ファームウェアからの動作指示やレディ確認を待つことなく、フラッシュEEPROMに対する一連の制御動作をハードウェア制御で実行することができる。
Claim (excerpt)：
複数のフラッシュEEPROMを内蔵し、ホストからのディスクアクセス要求に応じてそれら複数のフラッシュEEPROMをアクセスする半導体ディスク装置において、前記各フラッシュEEPROMをアクセス制御するための一連の制御動作をそれぞれ含む複数の動作パターンとそれら動作パターンを実行させるべきフラッシュEEPROMとの対応関係を示す動作指示情報がセットされるレジスタ群と、前記複数のフラッシュEEPROMに接続され、前記動作指示情報に従って前記各フラッシュEEPROMを制御する制御回路であって、前記複数のフラッシュEEPROMから出力される複数のレディー/ビジー信号をそれぞれ受信する複数の入力ポートと、前記複数の動作パターンそれぞれに対応する複数の動作シーケンスを実行可能に構成され、前記複数の入力ポートで受信した複数のレディー/ビジー信号をそれぞれ監視し、前記動作指示情報で動作制御対象として指定されたフラッシュEEPROMの中でレディー状態が検出されたフラッシュEEPROMから順にそのフラッシュEEPROMに対して実行させるべき動作パターンに対応する動作シーケンスの実行を開始する制御回路とを具備することを特徴とする半導体ディスク装置。
IPC (2)：
FI (2)：
G06F 3/08 H
, G11C 17/00 309 G
