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J-GLOBAL ID：200903073257687123

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 本多 広一
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992062902
Publication number (International publication number)：1993267393
Application date： Mar. 19, 1992
Publication date： Oct. 15, 1993
Summary：

【要約】【目的】半導体ICの製造技術における微小化とこれに伴なう高集積化,多ピン化が進んでおり、これに対応できる半導体装置を得る。【構成】半導体チップ1上の半田バンプ2の先端部に、スルーホール4が形成されたシート上の中継板10を配置する。この状態で不活性ガスを使用したりリフロー炉で熱処理を行なうことによって、半田バンプ2をシート状中継板10のパッド5に接続する。またこのICは検査用基板20に加圧した状態で電気的接触を得ることにより、IC単体のままですべての電気的特性評価を行なうことが可能となる。

Claim (excerpt)：

複数のスルーホールが形成された耐熱性の絶縁シートとこのスルーホールをふさぐように絶縁シートの裏面に設けられたパッドとからなるシート状の中継板と、前記スルーホールを介し前記パッドに先端部が接続された半田バンプを有する半導体チップとを含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/66