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J-GLOBAL ID：200903073264034976

半導体装置の製造方法

Inventor： 大見 忠弘
Applicant, Patent owner： 大見 忠弘
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991334260
Publication number (International publication number)：1993144804
Application date： Nov. 22, 1991
Publication date： Jun. 11, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、信頼性の高い絶縁膜と半導体との界面(例えば、酸化膜/シリコン界面)を有する半導体装置の製造が可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 絶縁膜/半導体界面を有する半導体装置の製造方法において、該絶縁膜に、プラズマを伴わない水素活性種を接触させることを特徴とする。上記水素活性溜は、例えば、300°C以上の温度に加熱したニッケルまたはニッケルを含む材料に、水素ガスまたは水素を含むガスを接触させることにより生成せしめる。

Claim (excerpt)：

絶縁膜/半導体界面を有する半導体装置の製造方法において、該絶縁膜に、プラズマを伴わない水素活性種を接触させることを特徴とする半導体の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/324 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31