Pat

J-GLOBAL ID：200903073268606931

ダイヤモンド単結晶薄膜製造方法及び装置

Inventor： 竹内 大輔 ,  大串 秀世 ,  梶村 皓二 ,  渡辺 幸志
Applicant, Patent owner： 工業技術院長
Agent (1)： 工業技術院電子技術総合研究所長
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997337740
Publication number (International publication number)：1999157990
Application date： Nov. 21, 1997
Publication date： Jun. 15, 1999
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、成膜速度を落とさずに高品質ダイヤモンド単結晶薄膜を製造する方法及び装置を提供することを目的としている。【解決手段】本発明のダイヤモンド単結晶薄膜製造方法は、原料ガスとして炭素源と水素の混合ガスを用いて、プラズマCVDにより基板表面にダイヤモンド単結晶薄膜を製造する際、供給炭素源濃度を合成途中で変化させるものである。第一段階で、炭素源濃度0.025%〜0.3%にて原子レベルで平坦、かつ単結晶のダイヤモンド薄膜を合成し、引き続き0.3〜0.5%の濃度で第二段階の合成を行うことで、膜質を維持したまま高速に成膜することができる。

Claim (excerpt)：

原料ガスとして炭素源と水素の混合ガスを用いて、プラズマCVDにより基板表面にダイヤモンド単結晶薄膜を製造する方法において、前記混合ガス中の炭素源濃度を、低成膜速度及び高品質のダイヤモンド単結晶薄膜が得られる低い第一の濃度にして、プラズマCVDを行い、その後、前記炭素源濃度を、前記第一の濃度よりも高い第二の濃度にして、高成膜速度でプラズマCVDすることを特徴とするダイヤモンド単結晶薄膜製造方法。

IPC (2)：

C30B 29/04 ,  H01L 21/205

FI (2)：

C30B 29/04 A ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 白色ダイヤモンドの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-003852   Applicant：ノートンカンパニー