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J-GLOBAL ID：200903073275561633

窒化炭素薄膜の形成方法

Inventor： 岡田 拓也 ,  山田 鈴弥 ,  和田 徹也
Applicant, Patent owner： 電気化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994294807
Publication number (International publication number)：1996158039
Application date： Nov. 29, 1994
Publication date： Jun. 18, 1996
Summary：

【要約】【目的】 高周波スパッタリング又はDCスパッタリングを行うのみでN/C比が1近傍の高N含有率のCNx 薄膜をその成膜速度を高めて形成すること。【構成】 グラファイト又はカーボンのターゲットにN2 ガスをその分圧50以上250未満mTorr、出力密度10〜35W/cm2 にして高周波スパッタリング又はDCスパッタリングすることを特徴とする窒化炭素薄膜の形成方法。

Claim (excerpt)：

グラファイト又はカーボンのターゲットにN2 ガスをその分圧50以上250未満mTorr、出力密度10〜35W/cm2 にして高周波スパッタリング又はDCスパッタリングすることを特徴とする窒化炭素薄膜の形成方法。

IPC (3)：

C23C 14/06 ,  C01B 21/082 ,  C04B 35/52