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J-GLOBAL ID：200903073284921464

ZnO系半導体素子およびその製造方法

Inventor： 石崎 順也
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 菅原 正倫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003087668
Publication number (International publication number)：2004296821
Application date： Mar. 27, 2003
Publication date： Oct. 21, 2004
Summary：

【課題】簡便に素子層の品質向上を可能とするとともに、コストの観点からも適したZnO系半導体素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板として水熱合成法にて形成されたZnO単結晶基板Sを用いるとともに、該ZnO単結晶基板Sの主表面上に、エピタキシャル成長法にてZnO系化合物からなる素子層11を形成させる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

水熱合成法により形成されたZnO単結晶基板の主表面上に、エピタキシャル成長法にてZnO系化合物からなる素子層が形成されてなることを特徴とするZnO系半導体素子。

IPC (3)：

H01L21/365 ,  C30B29/16 ,  H01L33/00

FI (3)：

H01L21/365 ,  C30B29/16 ,  H01L33/00 D

F-Term (31)：

4G077AA03 ,  4G077BB07 ,  4G077CB03 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077KA05 ,  4G077KA15 ,  5F041CA02 ,  5F041CA41 ,  5F041CA49 ,  5F041CA55 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F041CA88 ,  5F045AA04 ,  5F045AB22 ,  5F045AC00 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC19 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AF06 ,  5F045BB12 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53 ,  5F045HA06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-082043   Applicant：科学技術振興事業団