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J-GLOBAL ID：200903073293232680

薄膜構造体およびその製造方法

Inventor： 佐藤 清
Applicant, Patent owner： アルプス電気株式会社
Agent (1)： 野▲崎▼ 照夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999132602
Publication number (International publication number)：2000322708
Application date： May. 13, 1999
Publication date： Nov. 24, 2000
Summary：

【要約】【課題】 従来の薄膜構造体では、バンプの電極層との平坦面がCuによって形成されていたが、薄膜導電層上に酸化層が形成されたときの酸化層の厚さが予測できないために、イオンミーリングなどによって、酸化層を確実に除去することが困難であった。【解決手段】 バンプ24の電極層26との平坦面24cが、Ni層24bの露出面であるので、イオンミーリングや逆スパッタ法によって、平坦面から酸化層を確実に削り取ることができる。

Claim (excerpt)：

導電層の上に絶縁層が積層され、前記導電層の表面に形成されたバンプが前記絶縁層表面に露出し、且つ前記バンプ表面と前記絶縁層表面とが平坦面とされた薄膜構造体において、前記バンプは、導電性材料層と、前記導電性材料層の表面を覆い且つ前記導電性材料層よりも酸化しにくい保護層とからなり、前記保護層が、バンプの前記平坦面に現れていることを特徴とする薄膜構造体。

IPC (3)：

G11B 5/31 ,  H01F 17/00 ,  H01F 41/04

FI (3)：

G11B 5/31 F ,  H01F 17/00 Z ,  H01F 41/04 C

F-Term (10)：

5D033BA39 ,  5D033CA05 ,  5D033DA01 ,  5D033DA04 ,  5D033DA08 ,  5E062DD10 ,  5E062FG07 ,  5E070AA20 ,  5E070AB10 ,  5E070EA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平4-362507