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J-GLOBAL ID：200903073303500513
半導体装置及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 敏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994285211
Publication number (International publication number)：1996148562
Application date： Nov. 18, 1994
Publication date： Jun. 07, 1996
Summary：
【要約】【目的】 層間絶縁膜としてSiOF膜を用いつつ、高性能・高信頼性の半導体装置を得る。【構成】 層間絶縁膜であるSiOF膜の少なくとも上層もしくは下層に、フッ化水素(HF)及びフッ素(F)の拡散を防止しかつ水分吸収性の低い膜を形成する。
Claim (excerpt)：
半導体集積回路の層間絶縁膜として、フッ素(F)を含むシリコン酸化膜を用いる半導体装置であって、前記フッ素(F)を含むシリコン酸化膜からなる第一の絶縁膜の上層もしくは下層の少なくとも一方に、フッ化水素(HF)及びフッ素(F)の拡散を防止しかつ水分吸収性の低い膜を、第二の絶縁膜として有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L 21/768
, H01L 21/316
