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J-GLOBAL ID：200903073325755264
半導体加速度センサ及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
恩田 博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992305709
Publication number (International publication number)：1994163934
Application date： Nov. 16, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：
【要約】【目的】 より少ない基板数で、かつ、一対の固定電極と可動電極との間の二つの静電容量を容易に等しくできる半導体加速度センサとその製造方法を提供することにある。【構成】 P型シリコン基板の主表面に絶縁膜を形成し、絶縁膜上に梁形状の可動電極を形成し、可動電極に対し自己整合的に基板に不純物を拡散して可動電極の両側において固定電極を形成し、固定電極の下の絶縁膜をエッチング除去した。よって、P型シリコン基板1と、基板1の上方に所定の間隔を隔てて配置された梁構造の可動電極4と、基板1における可動電極4の両側に可動電極4に対し自己整合的に形成された不純物拡散層よりなる固定電極8,9とを備え、加速度の作用に伴う可動電極4の変位によって生じる可動電極4と二つの固定電極8,9の間の二つの静電容量の変化(増減)で加速度が検出されることとなる。
Claim (excerpt)：
半導体基板と、前記半導体基板の上方に所定の間隔を隔てて配置された梁構造の可動電極と、前記半導体基板における前記可動電極の両側に可動電極に対し自己整合的に形成された不純物拡散層よりなる固定電極とを備え、加速度の作用に伴う前記可動電極の変位によって生じる前記可動電極と前記二つの固定電極の間の二つの静電容量の変化で加速度を検出するようにしたことを特徴とする半導体加速度センサ。
IPC (2)：
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