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J-GLOBAL ID：200903073327723289

レジストパターンの形成方法

Inventor： 田渕 宏樹 ,  谷川 真 ,  森脇 浩之 ,  谷口 敬之
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992243284
Publication number (International publication number)：1994097024
Application date： Sep. 11, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 簡単な工程で微細なレジストパターンを形成する。【構成】 半導体基板上にフォトレジスト膜を形成し、これに閾値露光量より小さい量の所定パターンの光を露光しエッチング深さを所定深さになるように制御して現像処理を施すことによって上記光の解像限界に近い幅の凹部又は凸部で構成される位相シフタのパターンを形成し、この後全面に露光することによって位相シフタ下のフォトレジスト膜に非露光領域を形成し、再び現象処理を施すことによって上記凹部又は凸部の幅より狭い幅のレジストパターンを形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にフォトレジスト膜を形成し、これに閾値露光量より小さい量の所定パターンの光を露光し所定深さになるように制御して現像処理を施すことによって上記光の解像限界に近い幅の凹部又は凸部で構成される位相シフタを形成し、この後全面に露光することによって位相シフタの凹部に入射する光と凸部に入射する光との干渉で非露光領域を形成し、再び現像処理を施すことによって上記凹部又は凸部の幅より狭い幅のレジストパターンを形成することを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/26 ,  H01L 21/302

FI (3)：

H01L 21/30 301 C ,  H01L 21/30 301 P ,  H01L 21/30 311 W

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• レジストパターンの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-182653   Applicant：セイコー電子工業株式会社
• パターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-223390   Applicant：ソニー株式会社