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J-GLOBAL ID：200903073333591173

プラズマ処理方法

Inventor： 深澤 和夫 ,  野中 龍
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン山梨株式会社
Agent (1)： 井上 一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992059366
Publication number (International publication number)：1993226291
Application date： Feb. 13, 1992
Publication date： Sep. 03, 1993
Summary：

【要約】【目的】 繰り返しのプラズマ処理を行っても、静電チャックが強い吸着力を持続できるプラズマ処理方法を提供する。【構成】 プラズマ処理の終了後、静電チャック10の吸着面を除電することにより、該吸着面に残留していた電荷を取り除く。この除電工程は、反応室に弱いプラズマを生成させること、静電チャック10の吸着面を接地状態にある反応室の天井面に接触させること、静電チャック10の吸着面に載置された被処理体1に対し、接地状態にある搬出手段40を接触させ、一定時間放置すること、等によって実現できる。

Claim (excerpt)：

反応室内で、被処理体を静電チャックに吸着保持した状態にてプラズマ処理する処理工程と、上記処理工程の終了した後、上記被処理体を静電チェックより離脱する工程と、 その後上記静電チャックの吸着面を除電し、または、微小電圧に帯電する工程と、を具備したことを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (3)：

H01L 21/302 ,  B23Q 3/15 ,  H01L 21/68

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭62-120931
  
• 特開平3-211753
  
• 特開平4-253356