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J-GLOBAL ID：200903073340927489

固体撮像装置

Inventor：
井上 郁子

About 井上 郁子


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998317833
Publication number (International publication number)：2000150848
Application date： Nov. 09, 1998
Publication date： May. 30, 2000
Summary：
【要約】【課題】 基板の深い領域に発生する信号の隣接画素への漏れ込みを防止することができ、ブルーミングや混色を抑制する。【解決手段】 半導体基板上に、光電変換部と信号走査回路部を含む単位セルを行列二次元状に配置してなる撮像領域と、この撮像領域の各セルからの信号を読み出す信号線とを備えたMOS型固体撮像装置において、半導体基板としてn型Si基板20を用い、この基板20の表面部に第1のpウェル領域21を設け、この第1のpウェル領域21の表面部に該領域21よりもp型不純物濃度の高い第2のpウェル領域31を選択的に設け、光電変換部を第1のpウェル領域21内に形成し、信号走査回路部を第2のpウェル領域31内に形成する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に、光電変換部と信号走査回路部を含む単位セルを行列二次元状に配置してなる撮像領域と、この撮像領域の各セルからの信号を読み出す信号線とを備えたMOS型固体撮像装置において、前記半導体基板としてn型基板が用いられ、このn型基板の表面部にpウェル領域が設けられ、このpウェル領域内に前記撮像領域が形成されてなることを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2)：
H01L 27/146 ,  H04N 5/335
FI (2)：
H01L 27/14 A ,  H04N 5/335 E
F-Term (19)：
4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118DD12 ,  4M118EA15 ,  4M118FA06 ,  4M118FA25 ,  4M118FA28 ,  4M118FA42 ,  4M118FA50 ,  4M118GD04 ,  5C024AA01 ,  5C024CA03 ,  5C024DA01 ,  5C024FA01 ,  5C024FA11 ,  5C024GA01 ,  5C024GA31
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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