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J-GLOBAL ID：200903073340995280
透明導電膜およびその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993216203
Publication number (International publication number)：1995073738
Application date： Aug. 31, 1993
Publication date： Mar. 17, 1995
Summary：
【要約】【目的】 低抵抗値、高光透過率かつエッチング特性の良好な透明導電膜を得る。【構成】 基板上に最初に結晶成長用核となる第1の透明導電膜を成膜し、次いでその上に第2の透明導電膜を前記第1の透明導電膜より高温、高電力で成膜することにより、2層構造の透明導電膜を形成する。
Claim (excerpt)：
基板上に成膜された結晶成長用の核となる第1の透明導電膜の上に、該核の粒子特性を引き継いだ第2の透明導電膜が積層されてなることを特徴とする透明導電膜。
IPC (4)：
H01B 5/14
, B32B 9/00
, C23C 14/08
, H01B 13/00 503
