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J-GLOBAL ID：200903073346392250

ラスタデータ転送装置

Inventor： 村井 正幸
Applicant, Patent owner： 大日本スクリーン製造株式会社
Agent (1)： 五十嵐 孝雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995031383
Publication number (International publication number)：1996204929
Application date： Jan. 27, 1995
Publication date： Aug. 09, 1996
Summary：

【要約】【目的】 従来よりも画像記録装置の画像記録動作を停止させる割合を少なくすることができるラスタデータ転送装置を提供する。【構成】 メモリブロック310は4つ有している。書き込みアドレスカウンタ320は書き込みアドレス321を出力する。読み出しアドレスカウンタ330は読み出しアドレス331を出力し、読み出しが終了したら読み出し終了信号332を出力する。ステータスフラグ記憶回路340は4つのステータスフラグを記憶する。書き込み選択回路350は書き込むべきメモリブロックを選択する。読み出し選択回路360は読み出すべきメモリブロックを選択する。割込信号発生回路370は読み出し終了信号332により割込信号371を発生する。MPU380はステータスフラグをポーリングすると共に、書き込むべきメモリブロックを指示したり、読み出すべきメモリブロックを指示したりする。

Claim (excerpt)：

ラスタイメージプロセッサから出力されたラスタデータを画像記録装置に転送するラスタデータ転送装置であって、マイクロプロセッサと、ラスタデータをそれぞれ記憶する3つ以上のメモリブロックと、各メモリブロックにそれぞれ対応し、対応するメモリブロックが、ラスタデータ読み出し済みの第1の状態,ラスタデータ書き込み中の第2の状態,ラスタデータ書き込み済みの第3の状態,ラスタデータ読み出し中の第4の状態の4つの状態のうち、何れの状態にあるのかを示すステータスフラグをそれぞれ記憶するステータスフラグ記憶手段と、前記3つ以上のメモリブロックの中から、前記マイクロプロセッサによりラスタデータを書き込むべきメモリブロックとして指示されたメモリブロックを選択すると共に、選択した該メモリブロックに対応するステータスフラグを、該メモリブロックが第2の状態にあることを示すレベルに書き換える書き込み選択手段と、該書き込み選択手段により選択されたメモリブロックに前記ラスタイメージプロセッサから出力されるラスタデータを書き込むと共に、前記メモリブロックへの書き込みが終了した際に、該メモリブロックに対応するステータスフラグを、該メモリブロックが第3の状態にあることを示すレベルに書き換える書き込み手段と、前記3つ以上のメモリブロックの中から、前記マイクロプロセッサによりラスタデータを読み出すべきメモリブロックとして指示されたメモリブロックを選択すると共に、選択した該メモリブロックに対応するステータスフラグを、該メモリブロックが第4の状態にあることを示すレベルに書き換える読み出し選択手段と、該読み出し選択手段により選択されたメモリブロックから、記憶されているラスタデータを読み出して前記画像記録装置に出力すると共に、前記メモリブロックからの読み出しが終了した際に、該メモリブロックに対応するステータスフラグを、該メモリブロックが第1の状態にあることを示すレベルに書き換え、かつ、読み出しが終了したことを示す読み出し終了信号を出力する読み出し手段と、を備え、前記マイクロプロセッサは、前記ステータスフラグ記憶手段に記憶されている前記ステータスフラグを参照して、前記第2の状態にあるメモリブロックは存在せず、かつ、前記第1の状態にあるメモリブロックが存在することを検出した際には、その第1の状態にあるメモリブロックの中の1つのメモリブロックを、ラスタデータを書き込むべきメモリブロックとして前記書き込み選択手段に指示すると共に、前記読み出し手段より前記読み出し終了信号が割込入力された際には、他の処理より優先して前記ステータスフラグを参照して検出した第3の状態にあるメモリブロックの中の1つのメモリブロックを、ラスタデータを読み出すべきメモリブロックとして前記読み出し選択手段に指示することを特徴とするラスタデータ転送装置。

IPC (2)：

H04N 1/21 ,  G06T 1/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• メモリ制御装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-178452   Applicant：株式会社東芝