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J-GLOBAL ID：200903073350630840

被処理体の処理方法

Inventor： 松瀬 公裕
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 小原 肇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993182009
Publication number (International publication number)：1995086208
Application date： Jun. 28, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 真空処理のコストを低減すると共にスループットを向上させ、しかも歩留りを高めることができる被処理体の処理方法を提供する。【構成】 本被処理体の処理方法では、第2真空処理室12内で半導体ウエハWにチタン膜を形成した後、この半導体ウエハWを第2予備真空室32内へ移載し、この第2予備真空室32内で窒素雰囲気を形成すると共に半導体ウエハWを加熱し、そのチタン膜を窒化処理を施して窒化チタン膜を形成する。

Claim (excerpt)：

真空処理室内で被処理体に金属膜を形成した後、上記被処理体を予備真空室内へ移載し、この予備真空室内で窒素雰囲気を形成すると共に上記被処理体を加熱し、その金属膜に窒化処理を施すことを特徴とする被処理体の処理方法。

IPC (3)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (2)：

H01L 21/88 N ,  H01L 21/90 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-360527
  
• 特開平4-226023
  
• 特開平4-134818