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J-GLOBAL ID：200903073362004333

半導体活性素子

Inventor： 山田 敦史 ,  浅井 昭彦
Applicant, Patent owner： アンリツ株式会社
Agent (1)： 小池 龍太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992186082
Publication number (International publication number)：1994005983
Application date： Jun. 19, 1992
Publication date： Jan. 14, 1994
Summary：

【要約】【目的】端面反射率を充分抑圧でき、かつ良好な遠視野像を得ることができる半導体活性素子を提供することを目的とする。【構成】半導体基板上に形成されたダブルヘテロ導波路層2と、ダブルヘテロ導波路層からの光の出射端面に形成された窓領域4とを備えた半導体活性素子において、窓領域は基板と実質的に同等な素材で、基板からダブルヘテロ導波路層の上方まで延びる高さを有し、その上端面には光反射層12を備え、導波路の軸方向に延びた位置に在る端面はダブルヘテロ導波路層に垂直な面に対し傾斜している。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成されたダブルヘテロ導波路層(2)と、該ダブルヘテロ導波路層からの光の出射端面に形成された窓領域(4)とを備えた半導体活性素子において、前記窓領域は半導体基板と実質的に同等な素材でなり、半導体基板からダブルヘテロ導波路層の上方まで延びる高さを有し、上端面には光反射層(12)を備え、導波路の軸方向に延びた位置に在る端面(13)はダブルヘテロ導波路層に垂直な面に対し、傾斜していることを特徴とする半導体活性素子。