Pat

J-GLOBAL ID：200903073368565310

半導体薄膜の製造方法

Inventor： 今井 秀秋 ,  柴崎 一郎
Applicant, Patent owner： 旭化成工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991342584
Publication number (International publication number)：1993175124
Application date： Dec. 25, 1991
Publication date： Jul. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】 青色発光素子用として最適な半導体薄膜を得ること。【構成】 MBE法において,ガス状化合物をあらかじめ加熱して基板面に供給することにより基板上で所定の金属の単体あるいは金属塩の蒸気と反応させる化合物半導体薄膜の製造方法である。【効果】 低温成長により,表面平坦性および結晶性に優れた化合物半導体薄膜を得ることができ,膜厚が1μm以下のGaN薄膜においても青色発光素子を作製することが可能になった。

Claim (excerpt)：

真空中において、あらかじめ加熱したガス状化合物と、固体ソースより蒸発させた金属または金属塩の蒸気を基板面に供給して反応させて、基板上に結晶成長させることを特徴とする化合物半導体薄膜の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/203 ,  C01B 21/06 ,  H01L 33/00