半導体発光装置、その製造方法及びその駆動方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001333891
Publication number (International publication number)：2003008135
Application date： Oct. 31, 2001
Publication date： Jan. 10, 2003
Summary：

【要約】【課題】低出力時においても相対雑音強度が小さい半導体発光装置を実現できるようにする。【解決手段】半導体基板11上には、n型半導体部12と、活性層13と、p型半導体部14とからなるレーザ素子構造体が形成されている。p型半導体層14の最上層に含まれるp型コンタクト層の上には、ストライプ状のp側電極15が形成されている。p側電極15は、活性層13における出射端面13a側を第1電極部15aと、反射端面13b側を第1電極部15aよりも長手方向の寸法が小さい第2電極部15bとから構成されている。半導体基板11における活性層13が形成された素子形成面と反対側の面上には、n側電極16が形成されている。

Claim (excerpt)：

基板上にほぼ一様な膜厚に形成された第1導電型の第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上にほぼ一様な膜厚に形成された第2導電型の第2の半導体層と、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間にほぼ一様な膜厚に形成され、発光光を生成する活性層と、前記第1の半導体層に駆動電流を供給する第1の電極と、前記第2の半導体層に駆動電流を供給する第2の電極とを備え、前記第1の電極又は前記第2の電極は、互いに間隔をおいた複数の導電性部材からなる分割電極であることを特徴とする半導体発光装置。

IPC (4)：

H01S 5/042 612 , H01S 5/0625 , H01S 5/065 610 , H01S 5/223

FI (4)：

H01S 5/042 612 , H01S 5/0625 , H01S 5/065 610 , H01S 5/223

F-Term (9)：

5F073AA61 , 5F073AA89 , 5F073BA06 , 5F073CA07 , 5F073DA05 , 5F073DA25 , 5F073DA30 , 5F073EA12 , 5F073EA27

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

特開平1-251775
特開平1-251774
特開平1-262683

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