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J-GLOBAL ID：200903073393233810
不揮発性半導体メモリ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992137281
Publication number (International publication number)：1993334885
Application date： May. 28, 1992
Publication date： Dec. 17, 1993
Summary：
【要約】【目的】この発明の目的は、従来よりも消去時間を短縮でき、動作速度を高速化することが可能なフラッシュEEPROMを提供することである。【構成】行デコーダ11の全ての出力を非選択状態とし、列デコーダ12の全ての出力を例えば選択状態として各メモリセル10に流れる電流の総和をセンスアンプ32によって検出し、この検出した電流が所定値になった場合、データの消去終了としている。したがって、複数のメモリセル10に対して同時にチェック読出しを行っているため、従来に比べてデータの消去時間を短縮することができる。
Claim (excerpt)：
浮遊ゲートを有するMOSトランジスタをメモリセルとし、このメモリセルが行および列方向にマトリックス状に配列されたメモリセルアレイと、このメモリセルアレイの行を選択する行デコーダと、前記メモリセルアレイの列を選択する列デコーダと、前記メモリセルに接続された負荷回路と、前記行デコーダの全ての出力を非選択状態とし、前記列デコーダの少なくとも1つ以上の出力を選択状態とし、前記負荷回路と前記メモリセルとの接続点の電位を検出し、前記浮遊ゲート中の電子の状態をチェックするチェック手段(32)と、を具備したことを特徴とする不揮発性半導体メモリ。
IPC (2)：
FI (2)：
G11C 17/00 309 C
, H01L 27/10 434
Cited by examiner (8)
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