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J-GLOBAL ID：200903073394712895
半導体装置およびその製造方法ならびに半導体装置が実装されたモジュール
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
前田 弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999166688
Publication number (International publication number)：2000353716
Application date： Jun. 14, 1999
Publication date： Dec. 19, 2000
Summary：
【要約】【課題】 高い接続信頼性を有する半導体装置およびその製造方法ならびに高い接続信頼性を有する半導体装置が実装されたモジュールを提供する。【解決手段】 複数の電極が配列された主面を有する半導体素子と、半導体素子の主面上に形成された絶縁層と、絶縁層上に形成された複数の外部端子と、複数の電極の内の少なくとも1つと複数の外部端子の少なくとも1つとに、それぞれ電気的に接続された複数の配線とを有し、複数の外部端子の内の前記主面の最外周にある外部端子と、最外周にある外部端子に隣接する外部端子との間に位置する絶縁層の少なくとも一部に溝が形成されている。
Claim (excerpt)：
複数の電極が配列された主面を有する半導体素子と、前記半導体素子の前記主面上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された複数の外部端子と、前記複数の電極の内の少なくとも1つと前記複数の外部端子の少なくとも1つとに、それぞれ電気的に接続された複数の配線とを有し、前記複数の外部端子の内の前記主面の最外周にある外部端子と、最外周にある外部端子に隣接する外部端子との間に位置する前記絶縁層の少なくとも一部に溝が形成されている半導体装置。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/92 602 K
, H01L 23/12 L
