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J-GLOBAL ID：200903073405397865

ショットキーバリアダイオード

Inventor： 八尾 勉 ,  大野 俊之 ,  小野瀬 秀勝 ,  及川 三郎 ,  菅原 良孝 ,  浅野 勝則 ,  林 智基
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  関西電力株式会社
Agent (1)： 武 顕次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999051591
Publication number (International publication number)：2000252478
Application date： Feb. 26, 1999
Publication date： Sep. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】ショットキ接合を形成する第1導電型のSiC半導体基板の主表面に、深さおよび相互間の間隔の大きい第2導電型の第1表面層と、深さおよび相互間の間隔の小さい第2導電型の第2表面層を形成して、逆方向漏れ電流を低減した高耐圧、大電流のショットキーバリアダイオードを得る。【解決手段】低不純物濃度を有する第1導電型の第1半導体層3、および高不純物濃度を有する第1導電型の第2半導体層2とからなるSiC半導体基板と、前記第1半導体層の主表面に形成した、深さおよび相互間の間隔が比較的大きな第2導電型の第1表面層4と、前記第1表面層相互間に形成した、深さおよび相互間の間隔が比較的小さな第2導電型の第2表面層41と、前記第1半導体層の主表面に接合し、前記第1表面層および第2表面層と低抵抗でオーム接触するショットキー金属5と、前記第2半導体層に低抵抗でオーム接触するカソード電極6とからなる。

Claim (excerpt)：

低不純物濃度を有する第1導電型の第1半導体層、および高不純物濃度を有する第1導電型の第2半導体層とからなるSiC半導体基板と、前記第1半導体層の主表面に形成した、深さおよび相互間の間隔が比較的大きな第2導電型の第1表面層と、前記第1表面層相互間に形成した、深さおよび相互間の間隔が比較的小さな第2導電型の第2表面層と、前記第1半導体層の主表面に接合し、前記第1表面層および第2表面層と低抵抗でオーム接触するショットキー金属と、前記第2半導体層に低抵抗でオーム接触するカソード電極とからなるショットキーバリアダイオード。

FI (3)：

H01L 29/48 D ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/48 G

F-Term (7)：

4M104AA03 ,  4M104BB02 ,  4M104BB06 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104GG18 ,  4M104HH18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平2-137368
  
• 車両用交流発電機及びショットキバリアダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-158124   Applicant：株式会社デンソー