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J-GLOBAL ID：200903073436874246

半導体装置

Inventor：
木下 靖

About 木下 靖


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 高橋 詔男 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998324252
Publication number (International publication number)：2000150796
Application date： Nov. 13, 1998
Publication date： May. 30, 2000
Summary：
【要約】【課題】 高周波領域での電源グランドノイズを有効に抑制し、安定的に動作することのできる半導体装置を提供すること。【解決手段】 ノイズを吸収するためのバイパスコンデンサ60の一方の電極は、電源配線VDD40に接続される。また、他方の電極は、半導体基板20に接続されて該基板20の電位にバイアスされ、半導体基板20を介してバイアスされる。これにより、バイパスコンデンサ60の他方の電極に付随する残留インダクタンスが小さくなる。この結果、バイパスコンデンサ60とその電極に付随する残留インダクタンスとにより形成されるLC直列共振回路の共振周波数が高い方に移動するので、共振現象を伴わない周波数領域が拡大され、高周波領域でのノイズが抑制される。
Claim (excerpt)：
電源配線またはグランド配線のいずれかの配線を伝搬するノイズを吸収するためのバイパスコンデンサを半導体チップ上に有し、前記バイパスコンデンサの一方の電極は、前記電源配線またはグランド配線のいずれかの配線に接続され、前記バイパスコンデンサの他方の電極は、前記半導体チップの基板に接続されて該基板の電位にバイアスされたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H04N 5/21
FI (3)：
H01L 27/04 A ,  H04N 5/21 Z ,  H01L 27/04 C
F-Term (15)：
5C021PA34 ,  5C021PA96 ,  5C021YA01 ,  5F038AC05 ,  5F038AC12 ,  5F038AC15 ,  5F038BH03 ,  5F038BH19 ,  5F038CA05 ,  5F038CA10 ,  5F038CD02 ,  5F038CD03 ,  5F038DF12 ,  5F038EZ10 ,  5F038EZ20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • 特開昭63-120446
  • 半導体集積回路
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-226534   Applicant：三菱電機株式会社
  • 特開昭60-161655
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