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J-GLOBAL ID：200903073442248489
多層セラミック基板
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 惠二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992081649
Publication number (International publication number)：1993243745
Application date： Mar. 02, 1992
Publication date： Sep. 21, 1993
Summary：
【要約】【目的】 誘電体材料に対する制約がなく、かつ材料間の成分の相互拡散も起こらず、従って高性能かつ高精度のコンデンサを内蔵可能な多層セラミック基板を提供する。【構成】 この多層セラミック基板は、相対的に低誘電率の誘電体セラミックスから成り、内部にコンデンサ24、34が形成された多層構造の焼成済の二つの低誘電率基板20、30と、相対的に高誘電率の誘電体セラミックスから成り、内部にコンデンサ44が形成された多層構造の焼成済の高誘電率基板40とを積み重ねて、導電接合手段の一例であるバンプ26、36、46によって互いに電気的かつ機械的に接合して一体化したものである。
Claim (excerpt)：
相対的に低誘電率の誘電体セラミックスから成る多層構造の焼成済の1以上の低誘電率基板と、相対的に高誘電率の誘電体セラミックスから成る多層構造の焼成済の1以上の高誘電率基板とを積み重ねて、導電接合手段によって互いに電気的かつ機械的に接合して一体化しており、かつ低誘電率基板および高誘電率基板の少なくとも一つの内部にコンデンサが形成されていることを特徴とする多層セラミック基板。
IPC (2)：
H05K 3/46
, H01G 4/12 349
