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J-GLOBAL ID:200903073463603718

不飽和6員環の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小林 純子 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001220786
Publication number (International publication number):2003040809
Application date: Jul. 23, 2001
Publication date: Feb. 13, 2003
Summary:
【要約】【課題】 シクロペンタジエニル基の誘導体を配位子として持つメタラシクロペンタジエンを用いて、選択的かつ一段階の反応で多置換ベンゼン誘導体や多置換ピリジン誘導体を提供すること。【解決手段】 メタラシクロペンタジエン(2)とニトリル(3)とを反応させて、ベンゼン誘導体(1a)及びピリジン誘導体(1b)を製造する。【化1】(式中、R1〜R9及びAは、それぞれ、同一又は異なって、水素原子、炭化水素基等を表す。Lは配位子、Mは遷移金属を示す。)
Claim (excerpt):
下記式(1a)で示されるベンゼン誘導体の製造方法であって、【化1】(式中、R1、R2、R3、R4、R5及びR6は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子;置換基を有していてもよいC1〜C20炭化水素基;置換基を有していてもよいC1〜C20アルコキシ基;置換基を有していてもよいC6〜C20アリールオキシ基;置換基を有していてもよいアミノ基;置換基を有していてもよいシリル基、又は水酸基であり、ただし、R2及びR3は、互いに架橋してC4〜C20飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式-N(B)-で示される基(式中、Bは水素原子又はC1〜C20炭化水素基である。)で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。)下記式(2)で示されるメタラシクロペンタジエンと、【化2】(式中、R1、R2、R3、R4、R5及びR6は、上記の意味を有する。R7、R8及びR9は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子;置換基を有していてもよいC1〜C20炭化水素基;置換基を有していてもよいC1〜C20アルコキシ基;置換基を有していてもよいC6〜C20アリールオキシ基;置換基を有していてもよいアミノ基;置換基を有していてもよいシリル基、又は水酸基であり、Mは、遷移金属を示し、Lは、アニオン性配位子を示す。)下記式(3)で示されるニトリルと【化3】(式中、Aは、水素原子;置換基を有していてもよいC1〜C20炭化水素基;置換基を有していてもよいC1〜C20アルコキシ基;置換基を有していてもよいC6〜C20アリールオキシ基;置換基を有していてもよいアミノ基;置換基を有していてもよいシリル基、又は水酸基である。)を反応させることを特徴とするベンゼン誘導体の製造方法。
IPC (4):
C07C 6/02 ,  C07C 15/02 ,  C07D213/09 ,  C07D213/26
FI (4):
C07C 6/02 ,  C07C 15/02 ,  C07D213/09 ,  C07D213/26
F-Term (16):
4C055AA01 ,  4C055BA02 ,  4C055BA08 ,  4C055BA13 ,  4C055BB07 ,  4C055CA01 ,  4C055DA01 ,  4C055FA23 ,  4C055FA37 ,  4H006AA02 ,  4H006AC28 ,  4H006BA10 ,  4H006BA44 ,  4H006BB25 ,  4H006BC10 ,  4H006BC31
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • 特許第4180254号

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