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J-GLOBAL ID：200903073470701466

単結晶表面層の評価方法

Inventor： 伊藤 進夫 ,  西根 士郎
Applicant, Patent owner： 伊藤 進夫 ,  住友電気工業株式会社
Agent (1)： 内田 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992220073
Publication number (International publication number)：1994066740
Application date： Aug. 19, 1992
Publication date： Mar. 11, 1994
Summary：

【要約】【目的】 X線の侵入深さをさらに小さく、かつ、小さい領域から深さ方向に変化できる、単結晶表面層の加工歪みやエピタキシャル層の結晶性などの非破壊検査法に適した単結晶表面層の評価方法を提供しようとするものである。【構成】 X線二結晶法により単結晶表面層を評価する方法において、評価対象の単結晶の表面層を水平に配置した後、反射面が得られる条件下で、水平面からの角度、並びに、上記単結晶の反射面の面内における回転角を調整して、上記単結晶に対するX線照射角を変化させることを特徴とする単結晶表面層の評価方法である。

Claim (excerpt)：

X線二結晶法により単結晶表面層を評価する方法において、評価対象の単結晶の表面層を水平に配置した後、反射面が得られる条件下で、水平面からの角度、並びに、上記単結晶の反射面の面内における回転角を調整して、上記単結晶に対するX線照射角を変化させることを特徴とする単結晶表面層の評価方法。