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J-GLOBAL ID：200903073477168003

光電変換装置

Inventor： 高橋 秀和 ,  光地 哲伸
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992041950
Publication number (International publication number)：1993218374
Application date： Jan. 31, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 大きな開口率が可能で暗電流の発生が十分に抑制された光電変換装置を提供する。【構成】 多孔質シリコンの表面にエピタキシャル成長により非多孔質単結晶シリコン層を形成し、該非多孔質単結晶シリコン層の表面またはその上に形成した絶縁層の表面に対し石英ガラス板13の表面を接合し、前記多孔質シリコンをエッチングにより除去して得られた基板を有し、該基板の前記非多孔質単結晶シリコン層3にベース1、エミッタ2及びコレクタ3からなる受光要素が形成されており、該非多孔質単結晶シリコン層の上面側に配線層が形成されており、光を下面側から石英ガラス板13を介して入射させる。

Claim (excerpt)：

多孔質半導体の表面に非多孔質単結晶半導体層を形成し、該非多孔質単結晶半導体層の表面またはその上に形成した絶縁層の表面に対し絶縁性表面を有する基体の該絶縁性表面を接合し、前記多孔質半導体をエッチングにより除去して得られた基板を有し、該基板の前記非多孔質単結晶半導体層に受光要素が形成されており、該非多孔質単結晶半導体層の一方の面側に配線層が形成されている、ことを特徴とする、光電変換装置。

IPC (3)：

H01L 27/14 ,  H01L 27/12 ,  H01L 31/10

FI (2)：

H01L 27/14 D ,  H01L 31/10 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭57-037444
  
• 特開昭46-003099