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J-GLOBAL ID：200903073502726482

半導体エレクトレットコンデンサマイクロホン

Inventor： 大林 義昭 ,  安田 護 ,  大澤 周治
Applicant, Patent owner： ホシデン株式会社
Agent (1)： 大西 孝治 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999038430
Publication number (International publication number)：2000236596
Application date： Feb. 17, 1999
Publication date： Aug. 29, 2000
Summary：

【要約】【目的】 寄生容量を減少させる。【構成】 必要な電子回路110が周縁部に形成された半導体チップ100と、この半導体チップ100の上面に積層された絶縁層200と、この絶縁層200の上に積層された固定電極300と、この固定電極300と所定の間隔(例えば、20μm程度)を有して対向する振動膜500とを有する電気音響変換素子1000を備えており、前記振動膜500にエレクトレット層510が形成された半導体エレクトレットコンデンサマイクロホンであって、前記絶縁層200は、少なくとも0.1μm以上の厚さがある。

Claim (excerpt)：

必要な電子回路が上面周縁部に形成された半導体チップと、この半導体チップの上面に積層された絶縁層と、この絶縁層の上に積層された固定電極と、この固定電極と所定の間隔を有して対向する振動膜とを有する電気音響変換素子を具備しており、前記振動膜にエレクトレット層が形成、又は固定電極側にエレクトレット層が形成された半導体エレクトレットコンデンサマイクロホンにおいて、前記絶縁層は、少なくとも0.1μm以上の厚さがあることを特徴とする半導体エレクトレットコンデンサマイクロホン。

F-Term (4)：

5D021CC03 ,  5D021CC04 ,  5D021CC11 ,  5D021CC15