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J-GLOBAL ID：200903073517203796
プラズマCVD法及び装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
谷川 昌夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991327370
Publication number (International publication number)：1993160045
Application date： Dec. 11, 1991
Publication date： Jun. 25, 1993
Summary：
【要約】【目的】 プラズマCVD法及び装置において、成膜反応に寄与するラジカル種の生成を妨げず、しかもダスト発生の原因となるラジカル種の発生を選択的に抑制して、ダストの基板上成膜部への付着、混入を抑制し、成膜速度を向上させる。【構成】 原料ガスをプラズマ化し、このプラズマに基板を曝して該基板上に薄膜を形成するプラズマCVD法及び装置において、前記原料ガスのプラズマ化を、1KHz以下の第1のパルス変調及び該変調より短い周期をもつ第2のパルス変調を重畳するとともに該パルス変調を行う高周波波形に対し高調波を重畳した高周波電力の印加により行うことを特徴とするプラズマCVD法及び装置。
Claim (excerpt)：
原料ガスをプラズマ化し、このプラズマに基板を曝して該基板上に薄膜を形成するプラズマCVD法において、前記原料ガスのプラズマ化を、1KHz以下の第1のパルス変調及び該変調より短い周期をもつ第2のパルス変調を重畳するとともに前記パルス変調を行う高周波波形に対し高調波を重畳した高周波電力の印加により行うことを特徴とするプラズマCVD法。
IPC (2)：
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