太陽電池および太陽電池の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004312140
Publication number (International publication number)：2006128258
Application date： Oct. 27, 2004
Publication date： May. 18, 2006
Summary：

【課題】最大電力を向上させた太陽電池とその太陽電池の製造方法とを提供する。【解決手段】シリコン基板1の受光面上に形成されたパッシベーション膜2と、パッシベーション膜2上に形成された反射防止膜3と、を含み、パッシベーション膜1の屈折率が反射防止膜3の屈折率よりも高い太陽電池とその太陽電池の製造方法である。ここで、パッシベーション膜2および反射防止膜3は共に窒化シリコン膜からなり得る。【選択図】図6

Claim (excerpt)：

シリコン基板の受光面上に形成されたパッシベーション膜と、前記パッシベーション膜上に形成された反射防止膜と、を含み、前記パッシベーション膜の屈折率が前記反射防止膜の屈折率よりも高いことを特徴とする、太陽電池。

IPC (1)：

H01L 31/04

FI (1)：

H01L31/04 F

F-Term (2)：

5F051CB12 , 5F051HA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-072312 Applicant：三菱電機株式会社
半導体デバイスおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-380023 Applicant：シャープ株式会社
光起電力素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-192465 Applicant：トヨタ自動車株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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