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J-GLOBAL ID:200903073544008059

高純度溶融シリカガラスの非多孔質物体を作成する方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 山元 俊仁
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992245980
Publication number (International publication number):1993229833
Application date: Aug. 24, 1992
Publication date: Sep. 07, 1993
Summary:
【要約】【目的】 有害なまたは環境的に危険なHCl放出を伴うことなしに高純度シリカおよびそれを用いた光導波路ファイバを作成すること。【構成】 酸化を伴う熱分解または火炎加水分解によってSiO2に変換され得るハロゲン化物を含まずケイ素を含有した蒸気状の化合物のガス流を生じさせ、前記ガス流を燃焼バ-ナの炎内に送り込んで溶融したSiO2無定形粒子を形成し、前記無定形粒子を支持体上に沈積させ、前記沈積と実質的に同時にまたはその後で、前記無定形粒子の沈積物をコンソリデ-トさせて事実上非多孔質の物体となす。この場合、(1)Si-O結合の解離エネルギ-より大きくないSi-R結合解離エネルギ-を有し、(2)350°Cより高くない沸点を有し、(3)熱分解および/または加水分解によって、環境的に安全と認められるまたは放出が許容基準以下である分解生成物をSiO2のほかに生成するという特性を有するハロゲン化物を含まない蒸気状態の有機ケイ素-R化合物を用いる。
Claim (excerpt):
高純度溶融シリカガラスの事実上非多孔質の物体を作成する方法であって、(a)酸化を伴う熱分解または火炎加水分解によってSiO2に変換され得るハロゲン化物を含まずケイ素を含有した蒸気状の化合物のガス流を生じさせ、(b)前記ガス流を燃焼バ-ナの炎内に送り込んで溶融したSiO2無定形粒子を形成し、(c)前記無定形粒子を支持体上に沈積させ、(d)前記沈積と実質的に同時にまたはその後で、前記無定形粒子の沈積物をコンソリデ-トさせて事実上非多孔質の物体となす工程を含み、(1)Si-O結合の解離エネルギ-より大きくないSi-R結合解離エネルギ-を有し、(2)350°Cより高くない沸点を有し、(3)熱分解および/または加水分解によって、環境的に安全と認められるまたは放出が許容基準以下である分解生成物をSiO2のほかに生成するという特性を有するハロゲン化物を含まない蒸気状態の有機ケイ素-R化合物を用いることを特徴とする高純度溶融シリカガラスの非多孔質物体を作成する方法。
IPC (6):
C03B 8/04 ,  C03B 20/00 ,  C03B 37/018 ,  C07F 7/08 ,  C07F 7/10 ,  G02B 6/00 356
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • 特開昭62-252335
  • 特開昭56-164009

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