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J-GLOBAL ID：200903073545108731

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 塚田 太 ,  政木 慶一
Applicant, Patent owner： 新光電気工業株式会社
Agent (1)： 綿貫 隆夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002040276
Publication number (International publication number)：2003243577
Application date： Feb. 18, 2002
Publication date： Aug. 29, 2003
Summary：

【要約】【課題】 半導体素子の表面の少なくとも一部が、封止樹脂層に形成された凹部の底面に露出する半導体装置を容易に製造でき、且つ半導体装置の搬送等の際に、半導体素子の表面が損傷等されるおそれを解消し得ることができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 圧力センサ等に用いられる半導体素子16の表面の少なくとも一部が、半導体素子16を封止する封止樹脂層18に形成された凹部20の底面に露出する半導体装置10を製造する際に、該封止樹脂層18に形成された凹部20の底面に露出する半導体素子16の表面16aに、凹部20の底面の形状に倣って形成したシリコーンゴムから成る保護部材26を被着した後、半導体素子16に被着した保護部材26がモールド金型のキャビティ54の内壁面に当接するように、半導体素子16をキャビティ54内に配置し、次いで、キャビティ54内に封止樹脂Mを注入して半導体素子16を樹脂封止することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

圧力センサ等に用いられる半導体素子の表面の少なくとも一部が、前記半導体素子を封止する封止樹脂層に形成された凹部の底面に露出する半導体装置において、該凹部の底面の形状に倣って形成された保護部材が、前記凹部の底面に露出する半導体素子の表面を被覆するように、前記凹部内に取出可能に挿入されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 23/28 ,  H01L 21/56

FI (2)：

H01L 23/28 J ,  H01L 21/56 T

F-Term (15)：

4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109BA04 ,  4M109CA21 ,  4M109DA04 ,  4M109DA07 ,  4M109EE01 ,  4M109GA10 ,  5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061BA04 ,  5F061CA21 ,  5F061CB13 ,  5F061DA06 ,  5F061FA06