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J-GLOBAL ID:200903073554672950

内燃機関用電源装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 松本 英俊 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994161571
Publication number (International publication number):1996033227
Application date: Jul. 13, 1994
Publication date: Feb. 02, 1996
Summary:
【要約】【目的】機関の回転数がきわめて低い状態でも負荷に直流電力を供給できる低損失の内燃機関用電源装置を提供する。【構成】ダイオードD1 ,D2 とMOSFET F1 ,F2 の寄生ダイオードDf1,Df2とをブリッジ接続して整流回路3を構成し、磁石発電機1の出力を整流回路3に入力する。寄生ダイオードに逆方向電圧が印加されるMOSFETにはオンレベルとオフレベルとの間を変化する矩形波状の駆動信号を与え、寄生ダイオードに順方向電圧が印加されるMOSFETにはオンレベルの駆動信号を与えるFET制御回路5を設ける。
Claim (excerpt):
内燃機関により駆動されてn個(nは2以上の整数)の出力端子間に単相または多相の交流電圧を発生する磁石発電機と、前記磁石発電機のn個の出力端子間に得られる交流電圧を昇圧して整流する昇圧整流回路とを備えた内燃機関用電源装置において、前記昇圧整流回路は、ソースが共通に接続され、ドレインが前記磁石発電機の異なる出力端子に接続された複数のMOSFETを備えたスイッチ回路と、前記スイッチ回路を構成する複数のMOSFETの寄生ダイオードと更に他のダイオードとにより構成されて前記磁石発電機のn個の出力端子間に得られる交流電圧を全波整流するダイオードブリッジ全波整流回路と、前記スイッチ回路を構成する複数のMOSFETの内、ドレインソース間の寄生ダイオードに逆方向の電圧が印加されているMOSFETのゲートソース間には該MOSFETをオン状態にするオンレベルと該MOSFETをオフ状態にするオフレベルとの間を前記磁石発電機の出力周波数よりも高い周波数で変化する矩形波状の駆動信号を与え、前記寄生ダイオードに順方向電圧が印加されているMOSFETのゲートソース間には該順方向電圧が印加されている間オンレベルの状態を保持する駆動信号を与えるFET制御回路とを具備したとを特徴とする内燃機関用電源装置。
IPC (3):
H02J 7/14 ,  H02M 7/219 ,  H02P 9/30
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • 車両用交流発電機
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-153327   Applicant:日興電機工業株式会社
  • 特開平2-007834

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