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J-GLOBAL ID：200903073565266236

不確定性原理に基づく低異方性高温超伝導体とその製造方法

Inventor：
伊原 英雄

About 伊原 英雄


Applicant, Patent owner：
経済産業省産業技術総合研究所長

About 経済産業省産業技術総合研究所長


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001006994
Publication number (International publication number)：2001233614
Application date： Feb. 28, 1997
Publication date： Aug. 28, 2001
Summary：
【要約】【目的】超伝導異方性が小さく、高い臨界電流密度(Jc)と、大きい不可逆磁界(Hirr)、擬等方的な、層に垂直方向(この方向をc軸方向、層面内をab軸とする)の長いコヒーレンス長ξc をもち、且つ超伝導臨界温度( Tc ) が例えば100K以上の高温超伝導体を提供する。【解決手段】電荷供給層と超伝導層の2次元的な層状構造をもつ高温超伝導体において、電荷供給層を構成する原子の一部を超伝導性をもつ原子と置き換えて電荷供給層を金属化若しくは超伝導化すると共に、超伝導層の厚さを大きくして超伝導異方性を低くしたことを特徴とする低異方性高温超伝導体。
Claim (excerpt)：
2次元的な層状構造をもつ超伝導体が組成式Cu<SB>1-x</SB>M<SB>x</SB>(Ba<SB>1-y</SB>Sr<SB>y</SB>)<SB>2</SB>(Ca<SB>1-z</SB>L<SB>z</SB>)<SB>n-1</SB>Cu<SB>n</SB>O<SB>2n+4-w</SB> (式中、M=Bi,Pb,Au,In,Sn,Ag,Mo,Re,Os, Cr,V,Fe,ランタニド系列元素の一元素又は複数元素、L=Li,Na,Y,ランタニド系列素の一元素又は複数元素、0 ≦x < 1, 0≦y ≦1, 0≦z ≦1, 0≦w ≦4, 3≦n ≦16)で記述できる銅酸化物超伝導体である低異方性高温超伝導体。
IPC (3)：
C01G 3/00 ,  C01G 1/00 ZAA ,  H01B 13/00 565
FI (3)：
C01G 3/00 ,  C01G 1/00 ZAA S ,  H01B 13/00 565 D
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (1)
  • 酸化物超電導体およびその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-155444   Applicant：住友電気工業株式会社, 東北電力株式会社, 松下電器産業株式会社, 財団法人国際超電導産業技術研究センター

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